ROHM扩充全SiC功率模块产品阵容

2019-10-06 19:07:54 来源: 昭通信息港

ROHM扩充“全SiC”功率模块产品阵容

本产品实现了300A的额定电流,因此可用于工业设备用的大容量电源等更大功率的应用中。另外,与一般的IGBT模块相比,开关损耗降低了77%,可高频驱动,因此还非常有助于周边元器件和冷却系统等的小型化。

本模块已经开始出售样品,预计于2015年6月份开始量产出货。前期工序的生产基地为ROHMApolloCo.,Ltd.(福冈县),后期工序的生产基地为ROHM总部工厂(京都市)

自从ROHM于2012年3月世界首家开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的“全SiC”功率模块投入量产以来,生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的采用越来越广泛。因其优异的节能效果,支持更大电流的产品阵容倍受期待,但为了限度地发挥SiC产品的特点高速开关性能,需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响(大电流化带来的课题)的新封装。

此次,ROHM通过优化芯片配置和模块内部结构,与以往产品相比,成功地大幅降低了模块内部电感。由此,可抑制浪涌电压,从而实现了300A的更大电流。

与同等额定电流的IGBT模块相比,开关损耗降低了77%。将IGBT模块替换为本产品有望大幅降低开关损耗,进一步实现冷却机构的小型化。另外,通过更高频率的开关动作,还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。通过使用SiC模块,不仅可实现更高效率,还有助于设备的小型化。

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